對於氮化鎵光電與電子元件有卓越成就與貢獻的國立成功大學電資學院院長（成大特聘教授、任教於電機工程學系）李清庭，以亮麗的研究成就榮獲2009年度國際電機電子工程師學會頒發會士(Institute of Electrical and Electronics Engineers－IEEE Fellow)頭銜，成為2009年國際電機電子領域中最耀眼的學者之一。由於IEEE Fellow是屬於全球電機電子相關學者及從業人士最高榮譽，亦列為各校電機資訊學院評鑑及邁向國際一流大學重要指標，因此，李清庭院長獲得IEEE Fellow桂冠加持，除彰顯李清庭院長在國際上的崇高學術地位，亦大幅提升成大電資學院在世界的能見度。

在2003年被延攬回母校成功大學出任第一任電資學院院長，固然李清庭院長從科學家的角色初次涉入行政體系，但他一本成大人勤奮精神與精益求精的治學態度，很快地把龐雜行政工作做得跟他的研究一樣出色，令人刮目相看。他除為電資學院立下典章制度、打下堅實雄厚基礎，亦積極創造優質的教學、研究及學習環境，讓電資學院的學術研究成果揚名國際，在國際上佔有重要一席之地。此外，他在國際電機電子工程師學會 (IEEE)台北分會各項重要職務時，大力推動會務工作及倡導技術升級，成效卓著。值得一提，繁瑣的行政工作並沒影響他對科學研究的執著與專注，依然交出亮麗的研究成果。

李清庭院長在氮化鎵光電與電子元件的卓越成就與貢獻是有目共睹的，首先是他對於化合物半導體元件的製程及結構有創新性的研究成果及專利，尤其是在氮化鎵發光二極體及高速電子元件的應用，在氮化鎵發光二極體研發高穩定的歐姆接觸，硫化及氯化處理氮化鎵表面，與無需螢光粉之單石碳佈植，並由此研發成果進而製作高亮度無需螢光粉的白光發光二極體，並進一步將此一專利轉移到產業界量產。且獨立發展設計氣相冷凝系統成長高品質的氧化鋅薄膜及氧化鋅奈米柱，成功製作氧化鋅/氮化鎵異質紫外發光二極體及氧化鋅奈米柱發光二極體，並獲得成功大學一流大學的標竿計畫補助研發前瞻的研究領域。

再者，他更首創利用光電化學技術直接在氮化鋁鎵表面成長氧化層來製作氮化鎵金氧半場效電晶體，此一研發成果的貢獻，猶如在矽元件及積體電路的成功可以直接在矽成長氧化層以製作積體電路的功效，該項研發成果克服化合物半導體製作金氧半場效電晶體的瓶頸，使氮化鎵互補式金氧半電晶體元件及積體電路的發展具有可行性，可望達到數十年來所追逐的目標。

除此之外，他也在奈米材料特性之研究、光波導元件及光電電磁場感測器、…等尖端科技之研究均有豐碩的成果，且在國際上獲得極高的評價與肯定。以光電電磁場感測器為例，他以鈮酸鋰優異的電光效應與微型天線積體化，完成電光調制型光電磁場感測系統，此系統可精確的量測電磁波的多項參數，諸如頻率、振幅、能量等等，進而將此系統應用在電磁相容測試、電磁輻射安全測試、天線特性測量、工業安全輸電、雷電防護監測、移動通訊等等，甚至也能用運在電磁場對生物細胞影響的研究上，這是電磁感測技術一項重大突破。

李清庭院長專研光電半導體元件、積體光電元件與電路、高速半導體元件與電路、奈米材料與元件、太陽能電池等領域，發表400篇以上的期刊論文及會議論文，研究成果卓著，獲獎無數，除甫獲2009年度國際電機電子工程師學會頒發會士（IEEE Fellow），還榮膺國科會傑出研究獎 (2002)、國科會傑出研究獎 (1999)、中國材料科學學會材料科學傑出論文獎 (2007)、台灣真空學會真空科技傑出論文獎(2007)、中華民國光學工程學會台灣光電科技研討會傑出論文獎(2006)、台灣電子材料及元件學會國際電子材料及元件會議論文獎 (2006)、成功大學特聘教授 (2004年迄今)、中國電機工程學會傑出電機教授獎 (2003)、台灣電子元件協會 傑出服務獎章 (2002)、光電工程學會光學工程獎章 (2002)、台灣真空學會真空科技傑出論文獎 (2001)、台灣電子材料及元件學會國際電子材料及元件會議傑出論文獎(2000)、中國工程師學會論文獎 (1999)、光學及光子研討會論文獎 (1999)等殊榮。

李清庭院長，1972年成功大學電機工程系學士畢業、1974年取得成功大學電機工程研究所碩士學位、1982年獲得美國卡內基美隆大學電機研究所博士學位，歷任中央大學光電研究所教授、成功大學第一任電機資訊學院院長、國科會光電學門召集人、台灣電子元件與材料協會理事長、以及國際電機電子工程師學會 (IEEE)雷射與光電台北分會財務長、副理事長、理事長等職務。